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微电子技术的发展使得集成电路的可靠性愈来愈重要，为了在较短的时间内得到产品可靠性数据，使用加速寿命试验是十分有效的方法。而使用加速寿命试验进行可靠性分析，关键是能够得到合适的寿命模型.不同的失效机理对器件寿命的影响是不同的。详细考虑了半导体器件的3个主要失效机理：电迁移、腐蚀和热载流子注入的影响因素，介绍了相应的寿命模型，并且通过具体的数据计算所得到的加速因子，对半导体器件在不同状态下的寿命情况进行了比较。