1997年IEEE国际可靠性物理年会论文集摘要(2)

来源 :电子产品可靠性与环境试验 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tuniao1

【摘要】

：

０１７ＭＯＳＦＥＴ区柱状焊块引起的器件退化和退火对退化的影响（Ｄｅｖｉｃｅ　Ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ　Ｄｕｅ　ｔｏＳｔｕｄＢｕｍｐｉｎｇＡｂｏｖｅｔｈｅＭＯＳＦＥＴＲｅｇｉｏｎａｎｄｔｈｅＥｆｆｅｃｔ　ｏｆ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ｏｎ　ｔｈｅ　Ｄｅｇ 017 Device Degradation Due to Random Bumping Above the MOSFET Region and the Effect of Annea

【机构】

：

信息产业部电子第五研究所赛宝信息研究中心

【出处】

：

电子产品可靠性与环境试验

【发表日期】

：

2000年06期

【关键词】

：

可靠性论文集摘要介质击穿空穴芯片规模封装再流焊热载流子装片电迁移

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