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电迁移是半导体器件常见的失效机理,可以导致金属的桥连或者产生空洞,引起短路或者开路等互连失效。总结了两种典型的电迁移失效模式：热电迁移和电化学迁移,阐述了两种电迁移的失效应力诱发条件,以及失效分析方法。通过失效分析案例研究,加深对两种失效机理的认识并提供电迁移失效分析的基本思路。
应力诱发的电迁移失效分析
【摘 要】
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电迁移是半导体器件常见的失效机理,可以导致金属的桥连或者产生空洞,引起短路或者开路等互连失效。总结了两种典型的电迁移失效模式：热电迁移和电化学迁移,阐述了两种电迁移
【机 构】
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工业和信息化部电子第五研究所,工业和信息化部电子第五研究所华东分所
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2015年2期
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