【摘 要】
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为提升Ga N基高压LED芯片的出光性能,优化了芯片发光单元之间隔离沟槽的宽度。当隔离沟槽宽度为20μm时,芯片的电学性能和光学性能最优。当注入电流为20 m A时,正向电压为50.
【机 构】
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华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究开发中心
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为提升Ga N基高压LED芯片的出光性能,优化了芯片发光单元之间隔离沟槽的宽度。当隔离沟槽宽度为20μm时,芯片的电学性能和光学性能最优。当注入电流为20 m A时,正向电压为50.72 V,输出光功率为373.64 m W,电光转换效率为36.83%。采用镜面铝基板和陶瓷基板进行了4颗芯片串联形式的COB封装。镜面铝基板的热导率和反射率均高于陶瓷基板,可提升HV-LED器件在大注入电流和高温时的发光性能。当注入电流为20 m A且基板温度为20℃时,镜面铝基板封装的HV-LED器件的正向电压是198.9
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