【摘 要】
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结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉的离子束碰撞冷却方法 ,在射频阱中用激光溅射纯金属靶产生并选择囚禁了难熔元素钪与钛的低能多电荷离子Scn +(n =1～ 3)和Tin +(n =1～ 4)。在
【机 构】
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中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室,北京理工大学光电工程系,北京理工大学光电工程系,北京理工大学光电工程系 湖北武汉430071,北京理工大学光电工程系.北京100081,
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结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉的离子束碰撞冷却方法 ,在射频阱中用激光溅射纯金属靶产生并选择囚禁了难熔元素钪与钛的低能多电荷离子Scn +(n =1～ 3)和Tin +(n =1～ 4)。在本底气压为 5 6× 10 - 7Pa下 ,测得Sc3 +与Ti3 +离子的衰减速率分别为 1 98s- 1 与 0 5 8s- 1 。
Combined with the ion trap selective trapping technique and vertical crossed ion beam collision cooling method, the low-energy multi-charged ions Scn + (n = 1 ~ 3) and Tin + (n = 1 ~ 4). The decay rates of Sc3 + and Ti3 + ions were found to be 1 98 s-1 and 0 5 8 s-1, respectively, at a background pressure of 5 6 × 10 -7 Pa.
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