水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jiajia_jiang

【摘要】

：

采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向<1120>晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长．在5．3×10^3Pa的低压下，外延膜生长速率超过3μm／h

【作者】

：

高欣孙国胜李晋闽赵万顺王雷张永兴曾一平

【机构】

：

中国科学院半导体研究所材料中心,兰州大学物理学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

碳化硅化学气相沉积原子力显微镜 RAMAN 光致发光 SiC CVD AFM Raman PL

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采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向<1120>晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长．在5．3×10^3Pa的低压下，外延膜生长速率超过3μm／h．电容-电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8．4×10^16cm^-3,Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑，生长缺陷密度很低．AFM测试显示表面均方根粗糙度为0．3nm，没有观察到宏观台阶结构．Raman谱线清晰锐利，表现出典型的4H-SiC特

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