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报道了采用介质辅助T型栅工艺研制的GaAs功率PHEMT．在该T型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进行控制，实现了较好的工艺可控性和较高的工艺成品率．采用该工艺制作了总栅宽为19．2mm的功率PHEMT．用两枚这种芯片合成并研制的Ku波段内匹配功率管在14．0～14．5GHz频带内，输出功率大于20W，功率增益大于6dB，典型功率附加效率为31％．