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本发明提供一种制备GaN单晶衬底的方法,属于光电材料和器件领域。该方法包括:在蓝宝石等异质衬底上利用MOCVD或MBE等技术生长高质量GaN薄膜(厚度在10μm之内)作为后续生长的模板;在GaN模板上制备一柔性的弱键和层;采用常规的HVPE方法在GaN模板上快速生长GaN单晶厚膜。由于减少了GaN和衬底之问的应力效应,叮以获得低位错密度的GaN外延层,