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采用线锥形结构，在silcon-on-insulator(SOI)材料上设计上实现了一种新的紧缩型3－db多模干涉耦合器（MMI），与普通的矩形结构3－Dbmmi耦合器相比，该器件长度减少了40％，耦合器输出均衡度为1.3dB，过剩损耗为2.5DB.
一种紧缩型的SOI3—dB多模干涉耦合器
【摘 要】
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采用线锥形结构，在silcon-on-insulator(SOI)材料上设计上实现了一种新的紧缩型3－db多模干涉耦合器（MMI），与普通的矩形结构3－Dbmmi耦合器相比，该器件长度减少了40％，耦合器输出均衡度为
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所微电子中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金 (批准号 :69990 5 40 ,,698962 60 ),,国家重点基础研究发展规划 (编号 :G2 0 0 0 0 3 66)资助项目~~
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