论文部分内容阅读
目前已经有许多学者研究了用UHV／CVD方法生长Si-1xGex薄膜时Ge在表面，次表面的偏聚，一种对这种实验结果的解释是由于化学原因（例如氧化）造成铸原子的化势差，这种化学势差成为锗原子迁称匀生锗偏聚的动力，本文通过应用一个简单的统计热力学模型，对在这种机芈 产生的锗偏聚进行了研究，这种用Motnte Carlo方法建立了模型所得到的计算结果与实验结果相当吻合。