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本文评述化合物微波半导体器件的现状和未来发展。对几种主要的微波器件的原理和结构作了描述。虽然,GaAs基器件无疑占据微波器件的主导地位,但InP基器件也有了重大进展。最近几年化合物微波器件主要沿着如下五个方向进展:(1)更高频高速;(2)更大功率;(3)更低噪声;(4)MMIC和VHSIC;(5)OEIC。与此同时,微波两端器件如Mixer二极管、IMPATT和TED等在毫米波和亚毫米波段仍然是重要的,而GaAsMESFET、MODFET(HEMT)和HBT在微波毫米波器件的研究和发展中更为活跃,三端器件