三丁基磷酸酯化学修饰电极伏安法测定黄嘌呤

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目的:用三丁基磷酸酯化学修饰电极伏安法研究痕量黄嘌呤的测定。方法:在pH9.5的NH4OH-NH4Cl缓冲溶液中,黄嘌呤在该化学修饰电极上于0.50V(vs.SCE)左右产生一灵敏的氧化峰。结果:化学修饰膜选择性先富集黄嘌呤,峰电流与浓度2.63×10^-7~7.89×10^-4mol·L^-1呈线性关系,检出限为6.57×10^-8mol·L^-1。结论:本法适用于血清、人尿中痕量黄嘌呤的测定。
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