等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究

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【摘要】

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用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石(α-A12O3)上生长了ZnO薄膜,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质

【作者】

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王金忠王新强王剑刚姜秀英杨树人杜国同高鼎三 LI

【机构】

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吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室,MaterialResearchCenter

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2001年5期

【关键词】

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等离子体辅助MOCVD X光衍射光致发光激光阈值氧化锌薄膜退火 plasmaassisted MOCVD XRD PLoptical threshold

【基金项目】

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国家自然科学基金，吉林省科研项目

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用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石(α-A12O3)上生长了ZnO薄膜,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量,其结果是:退火薄膜的电子浓度低达1015/cm3量级、激光阈值降低近30倍、X光衍射峰半高宽是0.29°、在388nm附近的光致发光谱峰半高宽为0.32nm.这表明退火使ZnO薄膜的质量得到大幅度提高.

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