MOVPE生长GaxAlyIn1—x—yN的准热力学模型

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：redlong888

【摘要】

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提出一个以TMGa,TMAl,TMIn和MH3为源，用MOVPE方法在生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型。该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的，其特别是考虑了NH3的分解

【作者】

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陆大成段树坤

【机构】

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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,中国科学院半导体研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2001年6期

【关键词】

：

GaAlInN MOVPE生长准热力学模型 GaAlInNMOVPEthermodynamicgroup Ⅲ nitrides

【基金项目】

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国家重点基础 (973 )资助项目! (合同号 :G2 0 0 0 0 683 )&&

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提出一个以TMGa,TMAl,TMIn和MH3为源，用MOVPE方法在生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型。该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的，其特别是考虑了NH3的分解效率，并用N、H、Ga,Al及In的摩尔分数代替惯用的分压来表示质量守衡方程。计算了各种生长条件对GaN晶格匹配的GaxAlyIn1-x-yN四元合金与注入反应室的Ⅲ族金属有机化合物之间关系的影响。计算表明，几乎所有达到生长表面的Al和Ga都并入到GaxAlyIn1-x-yN四元合金中，而In富集在气相。为

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