【摘 要】
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以Cu2O为氧源,采用包埋法在自制真空炉胆内进行了Cu-Al合金平板试样的内氧化试验,测定了内氧化层深度和试样的电导率,建立了平板试样内氧化后Cu-Al合金层和弥散强化层共存下
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以Cu2O为氧源,采用包埋法在自制真空炉胆内进行了Cu-Al合金平板试样的内氧化试验,测定了内氧化层深度和试样的电导率,建立了平板试样内氧化后Cu-Al合金层和弥散强化层共存下的电导率模型,推导出Cu-Al合金平板试样的内氧化深度X和电导率κ的关系：κ=41.18＋0.541 333 2（3X-4X^2）。结果表明,内氧化后在试样横截面上有一条明显的界线,分界线的深度测定和电导率测定结果与公式计算结果吻合得较好,证明此界线即为内氧化的前沿界面,在显微镜下可测量出内氧化层的深度。
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