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采用磁控溅射法低功率在玻璃衬底上制备低功率（LP）过渡层，再在其上高功率生长ZnO薄膜，研究了LP过渡层对薄膜结构性能的影响。XRD和SEM结果表明，引入LP过渡层后，高射频（RF）功率溅射的ZnO薄膜（002）定向性显著改善。随溅射功率的提高，薄膜（002）定向性有所下降，但致密性明显好转。与无过渡层薄膜相比，在溅射功率分别为30W和50W过渡层上生长的薄膜晶粒变大。研究表明，在30W的LP过渡层上用200W功率制备的薄膜性能最佳。