【摘 要】
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我们开发了一种新的工艺技术,实现了在CMOSVLSI制造中嵌入E2PROM的制造技术。在此新工艺中,制造的是学层多晶硅的E2PROM。与传统的双层多晶硅E2PROM的工艺相比,减少了25%的工序。
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我们开发了一种新的工艺技术,实现了在CMOSVLSI制造中嵌入E2PROM的制造技术。在此新工艺中,制造的是学层多晶硅的E2PROM。与传统的双层多晶硅E2PROM的工艺相比,减少了25%的工序。通过采用三种不同厚度的栅氧化层,可以缩小在CMOSVLS外嵌入的E2PROM的器件尺寸。器件工作电压范围宽为1.5~6V,静态电流低于100nA。
We have developed a new process technology that enables the fabrication of E2PROMs embedded in CMOSVLSI manufacturing. In this new process, E2PROM is made of polycrystalline silicon. Compared with the traditional double-layer polysilicon E2PROM process, the process is reduced by 25%. By using three different thicknesses of gate oxide, the device size of the E2PROM embedded outside CMOSVLS can be reduced. Device operating voltage range of 1.5 ~ 6V, quiescent current is less than 100nA.
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