【摘 要】
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从文献计量角度出发,整理了国内外2000～2018年间第三代半导体材料SiC、GaN的科技论文,并从整体发展轨迹与研究内容两方面,对SiC、GaN的时间分布、研究力量、研究热点等内容进
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从文献计量角度出发,整理了国内外2000～2018年间第三代半导体材料SiC、GaN的科技论文,并从整体发展轨迹与研究内容两方面,对SiC、GaN的时间分布、研究力量、研究热点等内容进行统计与分析,探讨了该领域的总体发展态势以及我国目前的科研水平.运用研究方向聚类与突发性关键词检测的方法,发现和解释该领域发展的内在变化规律,尤其是在不同发展阶段的不同研究重点,并用该规律对未来研究热点进行预测,可为该领域的研究与布局提供参考.
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