【摘 要】
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以获得高量子效率的pin硅光电探测器阵列为目标,对影响pin硅光电探测器阵列量子效率和暗电流的重要因素展开了分析,此外针对探测器入射面的抗反射层结构进行了理论分析与模拟
【机 构】
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清华大学工程物理系; 同方威视技术股份有限公司;
【基金项目】
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北京市博士后工作经费资助项目(201722131)
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以获得高量子效率的pin硅光电探测器阵列为目标,对影响pin硅光电探测器阵列量子效率和暗电流的重要因素展开了分析,此外针对探测器入射面的抗反射层结构进行了理论分析与模拟的仿真研究。流片测试结果表明,实验样品LPD型硅光电探测器阵列的单像素暗电流为2~7 pA,低于滨松S11212型商用光电探测器;结电容为45~46 pF,光响应值为0.37~0.39 A/W(仅比S11212型器件低约0.25%)。LPD硅光电探测器阵列通过耦合碘化铯晶体并封装之后,放置在物品安检机上进行扫描成像,测试结果表明:LPD硅光电探测器阵列可以在X光机165 kV,0.8 m A时穿透40 mm厚的铅饼清晰成像。LPD硅光电探测器阵列的整体灵敏度和商用S11212型光电探测器性能相当,没有明显区别。
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