论文部分内容阅读
采用原子层沉积技术，以Al(CH3)3为铝的前驱体，分别以TiCl4和四(二甲基氨基)钛(TDMAT)为钛的前驱体制备了两种TiAlC薄膜，并对比分析了它们的薄膜性能。结果表明，这两种薄膜均存在不同程度的自然氧化；以TDMAT为前驱体制备的膜层的光学带隙有两个值，分别是0.68 eV和2.00 eV,而以TiCl4为前驱体制备的薄膜的光学带隙为0.61 eV，前者的平均透射率、沉积速率、电阻率及表面粗糙度均高于后者的，但前者的厚度均匀性较差；以TiCl4为前驱体制备的薄膜为无定形结构，而在以TDMAT为前驱体制备的薄膜中出现了TiN晶体；相对于有机化合物TDMAT而言，无机化合物TiCl4更适合作为制备TiAlC栅介质材料的前驱体。