Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及光学带隙研究

来源 :量子电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiexia1987623

【摘要】

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用磁控溅射方法在Si衬底上制备了Al掺杂Mg2Si薄膜，通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带

【作者】

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王善兰廖杨芳房迪吴宏仙肖清泉杨云良谢泉

【机构】

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贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵州师范大学物理与电子科学学院

【出处】

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量子电子学报

【发表日期】

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2017年5期

【关键词】

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材料 MgzSi薄膜 A1掺杂光学带隙显微 materials Mg2Si thin films Al doping optical band gap

【基金项目】

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国家自然科学基金,61264004贵州省自然科学基金,[201412052,[2013]2209贵州省国际科技合作项目,[2013]7003贵州大学研究生刨新基金,2016068

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用磁控溅射方法在Si衬底上制备了Al掺杂Mg2Si薄膜，通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响。XRD结果表明随着A1掺杂量的增加，Mg2Si衍射峰先增强后减弱。SEM及AFM的结果表明随掺杂量的增加，结晶度先增加后降低，晶粒尺寸减小，粗糙度先增加后降低。得到掺杂后薄膜间接跃迁带隙范围为0．423-0．495eV，直接跃迁带隙范围为0．72-0．748eV，掺杂前薄膜间接跃迁带隙和直接跃迁带隙

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