【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在玻璃基底上沉积生长Ga掺杂Zn O薄膜（GZO）。研究了第二阶段不同溅射气压对薄膜晶体结构,光电性能的影响,且分别在气压为1 Pa/0.4 Pa、1 Pa/0.7 Pa、1 Pa/1
【基金项目】
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国家自然科学基金(61464005、51562015);江西省自然科学基金(20143ACB21004,20151BAB202010,20151BAB212008,20171BAB216015);江西省对外合作项目(20151BDH80031);江西省重点研发计划项目(20171BBE50053)
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采用射频磁控溅射法在玻璃基底上沉积生长Ga掺杂Zn O薄膜（GZO）。研究了第二阶段不同溅射气压对薄膜晶体结构,光电性能的影响,且分别在气压为1 Pa/0.4 Pa、1 Pa/0.7 Pa、1 Pa/1 Pa、1 Pa/1.3 Pa条件下制备薄膜。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见-近红外光谱仪（UV-VIS）,偏振稳态荧光光谱仪和四探针测试仪等表征手段对样品进行表征。结果表明:第二阶段不同溅射气压下GZO薄膜都具有（002）方向的择优取向,且均呈Zn O的六角纤锌矿晶体结构;在透过率方面,分析波长在300800 nm可见光范围时,GZO薄膜样品的平均透过率均可达到90%以上,而样品的最小电阻率为1.752×10-4Ω·cm;光致发光光谱中,1#出现了深蓝色发光峰,其余样品则出现近带边紫外发光峰。
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