【摘 要】
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采用光辅助金属有机化学汽相沉积（PA-MOCVD）法在n-SiC（6H）衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射（XRD）和光致发光（PL）测试表明,ZnO薄
【机 构】
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集成光电子国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院,大连理工大学物理与光电工程学院
【基金项目】
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国家“973”计划（2011CB302005）, 国家自然科学基金（60976010,61006006）资助项目
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采用光辅助金属有机化学汽相沉积（PA-MOCVD）法在n-SiC（6H）衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射（XRD）和光致发光（PL）测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压（I-V）测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光（EL）谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于Z
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