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介绍了单管５Ｗ大栅宽多胞微波砷化镓ＭＥＳＦＥＴ器件的优化设计、关键工艺的创新、器件特性测试等，特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性和并结合器件结构特点和Ｉ－Ｖ特性，建立了该器件的改进型沟道电流非线性模型，最后与实验测试数据比较，其拟合度优于常规模的拟合度。
一种多胞微波GaAsMESFET和技术及其沟道电流模型
【摘 要】
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介绍了单管５Ｗ大栅宽多胞微波砷化镓ＭＥＳＦＥＴ器件的优化设计、关键工艺的创新、器件特性测试等，特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性和并结合器件结构特点和Ｉ－Ｖ特性，建立了该器件的
【机 构】
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陕西骊山微电子研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1999年4期
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