报道了一种高增益高效率Ｓ波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。器件在ｆ＝２．４～２．６ＧＨｚ，Ｄ＝１０％，τｐ＝１００μｓ，Ｖｃ＝３６Ｖ条件下输出功率１００Ｗ、增益９ｄＢ、效率５０％。在ｆ＝２．６ＧＨｚ短脉宽条件下输出功率１６０Ｗ、增益......

介绍了单管５Ｗ大栅宽多胞微波砷化镓ＭＥＳＦＥＴ器件的优化设计、关键工艺的创新、器件特性测试等，特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性......

提出了一种计算ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ器件小信号等效电路的简单方法。本征元件由传统解析参数变换技术计算，且作为非本征元件的函数。高效电路由集中元......