氮离子注入形成SOI结构的外延研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenfurongyalan

【摘要】

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用大束流(50μA/cm~2)、高剂量(1.8×10~(18)/cm~2)的190keV N~+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚

【作者】

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林成鲁李金华方予韦邹世昌

【机构】

：

中国科学院上海冶金所离子束开放实验室,常州半导体厂

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1989年6期

【关键词】

：

离子注入退火外延生长 SOI材料 Ion implantationAnnealingEpitaxial growthSOI material

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用大束流(50μA/cm~2)、高剂量(1.8×10~(18)/cm~2)的190keV N~+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚度以应用于器件制作,将退火得到的SOI样品经化学处理后作外延生长.外延后获得的SOI材料,上层单晶Si厚度为0.8-1.0μm;Si_3N_4埋层的厚度为2800A;上、下Si-Si_3N_4界面陡峭.测试分析结果表明,利用N~+注入与气相外延生长能获得质量好的SOI材料.

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