【摘 要】
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在注入能量为１７０ｋｅＶ，注入剂量从０．６×１０＾１８／ｃｍ＾２到１．８×１０＾１８／ｃｍ＾２范围，改变注入方式，利用ＴＥＭ技术观察了形成ＳＩＭＯＸ的结构，注入剂量为０．６×１０＾１８／ｃｍ＾２时，可以获得连续的ＳｉＯ２埋层且顶部硅层基本上无穿通位错产生，注入剂量为１．５×１０＾１８／ｃｍ＾２时
【机 构】
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北京大学微电子研究所,中国科学院上海冶金研究所
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在注入能量为１７０ｋｅＶ，注入剂量从０．６×１０＾１８／ｃｍ＾２到１．８×１０＾１８／ｃｍ＾２范围，改变注入方式，利用ＴＥＭ技术观察了形成ＳＩＭＯＸ的结构，注入剂量为０．６×１０＾１８／ｃｍ＾２时，可以获得连续的ＳｉＯ２埋层且顶部硅层基本上无穿通位错产生，注入剂量为１．５×１０＾１８／ｃｍ＾２时，采用双重注入可以获得质量很好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层仅有较少的穿通位错；注入剂量为１．８×１０＾１８
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