【摘 要】
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随着半导体制造技术进入亚微米和深亚微米级(0.8～0.35μm),与其相关的集成电路设计技术已面临严峻挑战,尤其是时钟频率的极大提高,金属导线的延迟已经达到或超过器件的延迟,
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随着半导体制造技术进入亚微米和深亚微米级(0.8～0.35μm),与其相关的集成电路设计技术已面临严峻挑战,尤其是时钟频率的极大提高,金属导线的延迟已经达到或超过器件的延迟,成为延迟中的重要组成部分。
With the semiconductor manufacturing technology into the sub-micron and deep sub-micron (0.8 ~ 0.35μm), its related integrated circuit design technology has been facing serious challenges, especially the clock frequency greatly increased, the metal wire delay has reached or exceeded the device The delay has become an important part of the delay.
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