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测量了反应溅射 a-Si∶H/a-Ge∶H 超晶格的平行电导和垂直电导,研究了超晶格的结构和输运机理;实验观察到了强场下垂直电导的指数增强效应,得到阱层 a-Ge∶H 的深隙态密度N<sub>g</sub>=1.9×10<sup>18</sup>cm<sup>-3</sup>·ev<sup>-1</sup>.对实验结果作了初步讨论.