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用脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积GaN薄膜，为了减小Si衬底与GaN薄膜之间的热失配和晶格失配引入SiC缓冲层。脉冲激光沉积后的GaN薄膜是非晶结构，将样品在氨气氛围中在950℃下退火15min。得到结晶的GaN薄膜。并用X射线衍射、原子力显微镜、傅立叶红外吸收谱、光致发光谱研究了SiC缓冲层对GaN薄膜的结晶、形貌和光学性质的影响。