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随着器件尺寸的迅速减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素。根据比例差值算符理论和弛豫谱技术，针对直接隧穿应力下超薄栅MOS结构提出了一种新的驰豫谐－恒压应力下的直接隧0穿弛豫谱（DTRS）。该弛豫保持了原有弛豫谱技术直接、快速和方便的优点，能够分离和表征超薄栅MOS结构不同氧化层陷阱，提取氧化后陷阱的产／俘获截面、陷阱密度等陷阱参数、直接隧穿驰豫谱主要用于研究直接隧穿注入的情况下超薄栅MOS结构中陷阱的产生和复合，为超薄栅MOS结构的可靠性研究提供了一强有力工具。