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TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一。研究了剥离工艺(lift|off)用于TiNi薄膜图形化的可行性，并首次利用溅射的金属Pt作掩膜进行TiNi薄膜湿法腐蚀。结果表明：溅射的Pt在HF/HNO3/H2O腐蚀TiNi过程中，具有抗腐蚀力强、与TiNi结合致密、不漂起的特点，是TiNi薄膜长时间腐蚀的理想掩膜材料。