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用射频共溅射方法和退火工艺制备厂埋入 SiO<sub>2</sub>中碳的复合薄膜,并在室温下得到了强的可见光致发光谱（峰值在2.136eV）。用拉曼散射谱和红外透射谱对样品进行了测量,分析厂复合膜的微结构,研究了不同碳含量对光致发光谱的影响,并对 C-SiO<sub>2</sub>复合薄膜的光致发光机理进行了讨论。