【摘 要】
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本文报道了用国产MBE装置和源材料生长调制掺杂(MD)AlGaAs/GaAs结构材料,用霍耳效应、光荧光测量材料的电学和光学性能,用电化学C-V检测分布特性,用电光检测法评估材料的均匀
【机 构】
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南京电子器件所 南京 210016
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本文报道了用国产MBE装置和源材料生长调制掺杂(MD)AlGaAs/GaAs结构材料,用霍耳效应、光荧光测量材料的电学和光学性能,用电化学C-V检测分布特性,用电光检测法评估材料的均匀性。用该材料研制栅长0.5μm的HEMT器件,其跨导为200mS/mm,12GHz下的噪声系数达到0.76dB,相关增益6.5dB。
In this paper, we report the growth and modulation of AlGaAs / GaAs materials using domestic MBE devices and source materials. We measured the electrical and optical properties of the materials by Hall effect, fluorescence and electrochemical CV. Law to assess material uniformity. The HEMT device with gate length of 0.5μm was fabricated by this material. The transconductance was 200mS / mm. The noise figure at 12GHz reached 0.76dB and the relative gain was 6.5dB.
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