【摘 要】
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结合AlN-SiC二元系相图的理论分析,提出了利用固溶体技术实现AlN-SiC微波衰减材料性能优化的研究思路;采用热压烧结工艺,通过合理的烧结温度及保温时间的控制,制备了性能优异
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结合AlN-SiC二元系相图的理论分析,提出了利用固溶体技术实现AlN-SiC微波衰减材料性能优化的研究思路;采用热压烧结工艺,通过合理的烧结温度及保温时间的控制,制备了性能优异的AlN-SiC微波衰减材料.通过XRD、SEM、网络分析仪等测试手段,研究了材料的显微结构(晶粒尺寸和晶粒形状等)对材料微波衰减性能的影响,结果表明,AlN-SiC局部固溶体具有广频衰减特性,而AlN-SiC均质固溶体具有选频衰减特性;并初步探讨了AlN-SiC固溶体陶瓷的微波衰减机理.
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