ALN相关论文
随着集成电路的发展,互连中的RC延迟、动态功耗与串扰噪声对器件性能的影响变得越来越大。Cu/low-κ的组合可以成功降低这些影响。......
聚偏氟乙烯（PVDF）及其共聚物因具有高介电常数而备受关注，然而高电场下严重极化损耗和电导损耗限制了其更广泛的应用。在该研究中，应用......
研制了一种高集成、高散热、多功能一体化微波收发系统级封装（SiP）模块。该SiP模块工作频率为8.5～10.5 GHz,内部集成高功率放大、功率......
期刊
宽禁带半导体材料因其具有高击穿电场、良好的导热性、高的电子饱和率和抗辐射性能等特点,已成为开发高频率、高功率、耐高温和抗......
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器（HBAR）,研究了钪（Sc）掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明，当掺......
图形化GaN、AlN或蓝宝石衬底,已被业内证明是提高薄膜质量的有效方法,而激光作为单步制备微/纳米结构的一种新方法已应用于很多领......
以AlN/环氧树脂复合材料为研究对象,使用ANSYS建立代表性体积元模型,对AlN颗粒填充环氧树脂的导热性能进行模拟分析,研究了AlN/环......
AlN因为优异的物理化学性质被人们广泛研究,且AlN纳米材料更是在光学、电学和磁学等纳米器件上有着潜在的应用价值。本文采用第一......
AlN单晶薄膜是一种重要的半导体材料,具有宽带隙、高击穿电压、耐高温、耐腐蚀的优良特性,是制备蓝紫光发光二极管、大功率电力电......
为改善氮化硅陶瓷的热导率和抗热震性能，以d50=0.5 μm的α-Si3N4为原料，AlN(d50=1 μm)为添加剂，Y2O3和MgO(d50=5 μm，d50=10 μm)为......
随着科技的不断进步,深紫外波段的半导体激光器有望应用于光存储、军事医疗、卫星通信、杀菌消毒、分析仪器等领域。在全球新冠疫......
声表面波（Surface Acoustic Wave,SAW）传感器是利用压电效应和声表面波传播的物理特性制成的MEMS器件。传统Si基MEMS应变传感器无法......
采用飞秒激光对AlN陶瓷进行表面加工实验,分析了激光能量密度和扫描速度对加工表面形貌和尺寸的影响,优选出兼顾加工质量与效率的......
主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响方面综述了AlN陶瓷的研究进展，指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题，展望了AlN陶......
Large quantities of high-quality, ultra-long hexagonal crystal structure AlN whiskers with diameters from 1 to 3 μm and......
Sn-doped AlN nanorod arrays were grown on Si substrate by doping of nonmagnetic element Sn via a catalyst-free chemical ......
基于铌酸锂(LiNbO3)的声表面波(SAW)滤波器件已经在射频移动通讯设备的前端实现了商业化应用。随着移动通讯技术的迅猛发展，基于LiN......
氮化铝主要有六方纤锌矿和四方闪锌矿两种晶型,为了研究不同晶型氮化铝真空热分解反应机理,对该反应进行真空条件下热力学计算,结......
应用扫描电镜(SEM)及X 射线能谱分析仪(EDS)对三相有衬电渣炉冶炼的FeCrAl 高温合金中夹杂物成分、形貌、大小进行统计分析.结果 ......
会议
An Au-Pd-Co-Ni-V brazing alloy was designed for AlN ceramic joining.Its wettability on AlN was studied with the sessile ......
High-quality AlN growth on nitrided sapphire combined with low-and high-temperature alternation tech
Epitaxial growth of high-quality AlN films have been realized adopting nitridation for sapphire combined with low-and hi......
会议
AlN及其合金是深紫光电子器件和高频大功率微波器件的理想制备材料.然而由于AlN本身的材料特性,导致其生长制备比较困难.一般而言,......
随着信息技术的发展,电子工程教育也发生了许多变化,本文通过与传统教学进行比较.介绍了教育改革对电子课程教学产生的作用、发生......
本文探讨铁铝基三元合金(含Fe-28Al-2Mo及Fe-28Al-2Cr)于H/NH/Ar气氛下,温度500~700℃间的氮化行为.研究显示三元合金在各温度之氮......
AlGaN 基深紫外发光二极管(Deep ultraviolet light-emitting diodes,DUV-LEDs)在杀菌、水和空气净化、医疗光疗、生化检测、保密......
通过第一性原理模拟,我们研究了本征缺陷、纳米结构尺寸(ZZ 和AC 型)以及化学修饰(H 或F)等对AlN 纳米片和纳米带的电子结构和磁性......
设计了一种基于氮化铝(AlN)材料的压电连续面型变形镜，采用理论分析和COMSOL仿真对该AlN MEMS变形镜的结构进行了优化，拟合了前14项Z......
在蓝宝石衬底上采用由低温AlN成核层、中温AlN生长层、温度渐变AlN生长层和高温AlN生长层组成的厚三维生长缓冲层来实现AlN外延层......
使用FEMAG晶体生长模拟仿真软件以及自主开发的PVT法有限元传质模块对全自动、双电阻加热物理气相沉积炉开展了AlN晶体生长工艺过......
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN, 并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所......
陶瓷材料由于其优异的性质广泛地应用于各个领域。然而，由于陶瓷自身脆性限制了其应用。近年来，人们发现非晶结构可改善陶瓷的脆性，但......
氮化铝(AlN)作为第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，介电常数小，电子漂移速率较高，导热率高，化学性质稳定等许多优良的特性，是深紫......
Characterization and Piezoelectric Properties ofReactively Sputtered Highly C-axis (Sc,Al)NThin Film
Diamond has the highest surface acoustic wave (SAW) velocity among all materials.It can also provide high breakdown volt......
采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在单晶硅衬底上成功制备了具有(002)晶面择优取向的氮化铝(AlN)晶态薄膜,为设计新型压电功......
采用不同TiB2、BN、AlN体积配比制备TiB2-BN-AlN复相陶瓷,研究了TiB2、BN、AlN含量的变化对复相陶瓷烧结致密度、组织结构和性能的......
提升半导体激光器的腔面抗光学灾变（COD）损伤的能力，改善半导体激光器的工作特性，一直是大功率半导体激光器器件工艺研究的难点。基于......
用AlN聚合物先驱体溶液浸渍、烧结的方法,在C纤维表面制备AlN涂层。用挤压铸造法制备有涂层的C_((t))/Al复合材料。研究了AlN涂层......
研究了R_2O_3-AlN-Al_2O_3(R=Ce,Pr,Nd和Sm)三元系固相线下的相关系及Nd_2O_3-AlN—Al_2O_3系统在1700℃的等温截面.发现存有一个......
通过傅里叶变换红外光谱、拉曼光谱和光致发光谱测试手段分析了由HIRFL提供的高能238U离子辐照AlN晶体薄膜的光学特性变化。辐照后......
以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条......
采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport,PVT),在1700~1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱;晶柱长度在1 cm左右,宽度在200......
研究了反应溅射ＡｌＮ和ＡｌＳｉＮ薄膜的制备工艺，讨论了它们的光学性能与溅射工艺参数的关系，实验结果表明，在优化制备工艺基础上能制备出具有优良光......
