反应溅射GexC1—x薄膜的沉积速率

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系统地研究了射频磁控反应溅射中工艺参数GexC1-x薄膜沉积率的影响,结果表明,当气体流量比过某值后,沉积速率较大的下降。沉积速率随射频率功率的增大而增大,某工作气压下有沉积速率的最大值,薄膜厚度时间增长规律在出现靶中毒及未出的靶中毒的情况下略有差别。
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