【摘 要】
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使用正电子湮没寿命谱仪和真空紫外荧光光谱仪,对不同电流密度腐蚀条件下制备的多孔硅进行微结构及发光性能的表征,通过正电子湮没方法研究多孔硅微结构对多孔硅光致发光性能
【机 构】
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广西大学物理科学与工程技术学院,中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室
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使用正电子湮没寿命谱仪和真空紫外荧光光谱仪,对不同电流密度腐蚀条件下制备的多孔硅进行微结构及发光性能的表征,通过正电子湮没方法研究多孔硅微结构对多孔硅光致发光性能的影响。实验结果表明,随着腐蚀电流密度的增大,电子偶素在样品中的pick-off湮没寿命先增大后减小,同时样品的发光强度显示出相同趋势。可以推断,在腐蚀电流密度增加过程中,样品中硅纳米线尺寸逐渐减小,并且由于腐蚀作用增强而发生断裂,造成多孔硅层崩塌;样品的发光主要来源于纳米颗粒或纳米线的量子限制效应,并在颗粒最小时发光峰最强。
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