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报道超薄有源层AlxGa1-xAs/GaAs分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为680℃时,GaAs有源层厚度可低至25-35nm。宽接触分别限制双异结构LDs的室温连续阈值电流密度多在700-800A/cm^2。