【摘 要】
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采用分子动力学模拟方法,从分子水平对磁化增注的机理进行了模拟研究.计算结果表明在优化磁感应强度范围内,水的表面张力系数和粘滞系数降低,使水的渗透性和流动性增强,达到
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采用分子动力学模拟方法,从分子水平对磁化增注的机理进行了模拟研究.计算结果表明在优化磁感应强度范围内,水的表面张力系数和粘滞系数降低,使水的渗透性和流动性增强,达到增注的目的;在此基础上,从结晶学的角度对磁化防垢的效果进行了分析,研究表明经优化磁场处理后,水溶液的临界晶核半径减小,晶体成核速率和生产速率明显增加,溶液的过饱和度迅速降低,晶体的长大受到限制而形成较小的结晶颗粒,析出的固相将有更多的部分悬浮于水中,易于随水流动而减少沉淀,从而达到防垢、增注的效果.磁化增注效果在B＝0.25 T时最为明显.
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