【摘 要】
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综述了 PZT厚膜单元声纳换能器和 8× 8阵列声纳换能器的制备方法、结构和性能 ,并介绍了 PZT厚膜声纳换能器的应用及发展前景。该厚膜是利用改进的 sol- gel工艺制备的 ,厚
【机 构】
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综述了 PZT厚膜单元声纳换能器和 8× 8阵列声纳换能器的制备方法、结构和性能 ,并介绍了 PZT厚膜声纳换能器的应用及发展前景。该厚膜是利用改进的 sol- gel工艺制备的 ,厚度为 4～ 12 μm。4μm厚的 PZT厚膜的纵向压电系数 d3 3 为 140～ 2 40 p C/ N,剩余极化强度 Pr为 2 8× 10 - 6 C/ cm2 ,矫顽场强 EC为 30× 10 3 V/ cm,相对介电系数 εr为 140 0。
The preparation method, structure and performance of PZT thick film element sonar transducer and 8 × 8 array sonar transducer are reviewed. The application and development prospect of PZT thick film sonar transducer are also introduced. The thick film was prepared using a modified sol-gel process with a thickness of 4 to 12 μm. The longitudinal piezoelectric coefficient d3 3 of the 4 μm-thick PZT thick film is 140-240 pC / N, the remanent polarization Pr is 2 8 × 10 -6 C / cm2 and the coercive field EC is 30 × 10 3 V / cm, the relative dielectric constant εr is 140 0.
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