【摘 要】
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本文评述了长波长光纤系统的改进型Ge雪崩光电二极管(Ge-APD)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(InGaAs/InP-APD)。P~+-n型和n~+-n-p~+型锗雪崩光电二极管在1.0~1.5μm波长区比通常
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本文评述了长波长光纤系统的改进型Ge雪崩光电二极管(Ge-APD)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(InGaAs/InP-APD)。P~+-n型和n~+-n-p~+型锗雪崩光电二极管在1.0~1.5μm波长区比通常的n~+-p型Ge-APD的倍增噪声低。吸收区和倍增区分开的InGaAs/InP—APD在1.0~1.6μm波长区比Ge—APD有较低的暗电流和较低的倍增噪声。这种雪崩光电二极管与Ge雪崩光电二极管相比能改进3~4dB的最小可探测功率。
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