长波长光纤系统的改进型雪崩光电二极管

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:spring19760128
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本文评述了长波长光纤系统的改进型Ge雪崩光电二极管(Ge-APD)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(InGaAs/InP-APD)。P~+-n型和n~+-n-p~+型锗雪崩光电二极管在1.0~1.5μm波长区比通常的n~+-p型Ge-APD的倍增噪声低。吸收区和倍增区分开的InGaAs/InP—APD在1.0~1.6μm波长区比Ge—APD有较低的暗电流和较低的倍增噪声。这种雪崩光电二极管与Ge雪崩光电二极管相比能改进3~4dB的最小可探测功率。 This article reviews the improved Ge-APD and InGaAs / InP APDs for long-wavelength fiber systems. The p + -n and n + -n-p + type avalanche photodiodes have a lower multiplicative noise than the usual n + -p-type Ge-APD in the 1.0-1.5μm wavelength region. The InGaAs / InP-APD with separate absorption and multiplication regions has lower dark current and lower multiplication noise than the Ge-APD in the wavelength range of 1.0-1.6μm. This avalanche photodiode improves the minimum detectable power of 3 to 4 dB over Ge avalanche photodiodes.
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