【摘 要】
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为了研究掺杂比及可接受掺杂比对晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响,依据可接受掺杂比的理论和晶体Sellmeier方程,给出了光学二次谐波产生(SHG)和Nd^3+:YAG(1.06μm)与Ho^3+:ILF(2.08μm)激
【机 构】
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哈尔滨理工大学应用科学学院,黑龙江省水利工程技术学校
【基金项目】
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黑龙江省自然科学基金(F200509),黑龙江省教育厅2006年青年学术骨干支持计划项目(1151G013).
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为了研究掺杂比及可接受掺杂比对晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响,依据可接受掺杂比的理论和晶体Sellmeier方程,给出了光学二次谐波产生(SHG)和Nd^3+:YAG(1.06μm)与Ho^3+:ILF(2.08μm)激光泵浦光学参量振荡器(OPO)的调谐曲线可接受掺杂比.该结论可用于AgGa1-xInxSe2晶体生长与应用.
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