【摘 要】
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为了研究掺杂比及可接受掺杂比对晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响，依据可接受掺杂比的理论和晶体Sellmeier方程，给出了光学二次谐波产生（SHG）和Nd^3＋：YAG（1．06μm）与Ho^3＋：ILF（2．08μm）激
【机 构】
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哈尔滨理工大学应用科学学院,黑龙江省水利工程技术学校
【基金项目】
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黑龙江省自然科学基金（F200509）,黑龙江省教育厅2006年青年学术骨干支持计划项目（1151G013）.
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为了研究掺杂比及可接受掺杂比对晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响，依据可接受掺杂比的理论和晶体Sellmeier方程，给出了光学二次谐波产生（SHG）和Nd^3＋：YAG（1．06μm）与Ho^3＋：ILF（2．08μm）激光泵浦光学参量振荡器（OPO）的调谐曲线可接受掺杂比．该结论可用于AgGa1-xInxSe2晶体生长与应用．
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