【摘 要】
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用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Pr,Dy ,Sc)离子的化学掺杂 .用扫描电镜研究了多孔硅薄膜的表面形貌 ,用卢瑟福背散射谱研究了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .利用
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院; 兰州大学物理科学与技术学院 兰州730000; 兰州730000; 兰州730000;
【基金项目】
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国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 2 )资助的课题~~
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用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Pr,Dy ,Sc)离子的化学掺杂 .用扫描电镜研究了多孔硅薄膜的表面形貌 ,用卢瑟福背散射谱研究了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .利用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性 ,发现稀土掺杂增强了多孔硅的蓝光发射 ,尤其是Dy的掺杂可产生较强的蓝光发射 ,其强度可与多孔硅的红光强度相比较 ,适当的Pr和Sc的掺杂也可一定程度地增强多孔硅的蓝光发射 .稀土掺杂多孔硅后产生蓝光发射的可能机理为 :稀土掺杂引入新的表面态 ,形成硅、氧、稀土间新的键合方式O—Si—O—Re—O ,从而在多孔硅表面形成新的发光中心 ;稀土离子丰富的能态在多孔硅发光过程中起到了能量传递作用 ,从而增强了多孔硅的蓝光发射 .
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