【摘 要】
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利用B＋离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过MonteCarlo软TRIM模拟，优化离子注入能量和剂量。在SiCMESFET中测量两组不同条件的样品及在GaNHEMT测量了三组同种条件的样
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所
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利用B＋离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过MonteCarlo软TRIM模拟，优化离子注入能量和剂量。在SiCMESFET中测量两组不同条件的样品及在GaNHEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流，表现了很好的隔离效果；通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。
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