英开发提高晶体管运行速度新技术

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据《科技日报》2006年8月24日报道,英国研究人员开发出一种新技术,可使双极晶体管的运行速度提高一倍。英国南安普敦大学近日发布的消息说,该校研究人员应用硅双极灌氟技术,使双极晶体管的运行速度达到110吉赫兹,这一速度比现有记录高出一倍。据负责该项研究的彼得·阿什伯恩介 According to “Technology Daily” reported on August 24, 2006, British researchers have developed a new technology to double the operating speed of bipolar transistors. The University of Southampton recently released news that researchers at the university applied silicon bipolar irrigation technology to make bipolar transistors run at 110GHZ, which is twice as high as the current record. According to Peter Ashburn, who is in charge of the research
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