【摘 要】
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本文从理论上分析计算并给出了ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）应变多量子阱激光器的优化设计参数．考虑到多量子阱阱区的注入不均匀性，提出了一种新的分析和计算方法．对于激射波长为１．５５微米的１．５％压缩应变多量子阱激光
【机 构】
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吉林大学电子工程系，集成光电子学国家重点联合实验室，吉林工学院
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本文从理论上分析计算并给出了ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）应变多量子阱激光器的优化设计参数．考虑到多量子阱阱区的注入不均匀性，提出了一种新的分析和计算方法．对于激射波长为１．５５微米的１．５％压缩应变多量子阱激光器，最佳的阱数为四个，最佳腔长为５００微米左右．
In this paper, the optimal design parameters of InGaAs (P) strain multiple quantum well laser are theoretically analyzed and calculated. Considering the injection heterogeneity in the MQW well region, a new analysis and calculation method is proposed. For a 1.5% compression strain multiple quantum well laser with a lasing wavelength of 1.55 μm, the optimum number of wells is four and the optimum cavity length is about 500 μm.
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