【摘 要】
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利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究.通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiCMESFET.利用1mm栅宽SiC MESFET制成的微波功率放大器在2
【机 构】
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南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
【基金项目】
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Acknowledgments We would like to thank all the members of the National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules. We also acknowledge help from the first and the fifth institute cen
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利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究.通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiCMESFET.利用1mm栅宽SiC MESFET制成的微波功率放大器在2GHz64V工作时,连续波输出功率达4.09W,功率增益为9.3dB,PAE为31.3%.文中还给出了SiC功率放大器在微波大信号工作时的稳定性的初步测试结果.
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