【摘 要】
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在常温下测量了ＺｎＯ压敏陶瓷经不同方法热处理后的正电子湮没有寿命谱，结果表明，与无热处理比较，７５０℃×２ｈ的氧化热处理基本不改变缺陷强度Ｉ２；随后进行的７５０℃×２ｈ还原热处理则使Ｉ２明显降低
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在常温下测量了ＺｎＯ压敏陶瓷经不同方法热处理后的正电子湮没有寿命谱，结果表明，与无热处理比较，７５０℃×２ｈ的氧化热处理基本不改变缺陷强度Ｉ２；随后进行的７５０℃×２ｈ还原热处理则使Ｉ２明显降低，氧化热处理和还原热处理均使缺陷寿命τ２延长。根据正电子理论和ＺｎＯ压敏陶瓷晶界缺陷模型，该结果支持适当温度下的氧化热处理使氧离子Ｏ吸会于晶界中这一假设，同时，我们还得出：晶界吸附的Ｏ并非Ｂｉ２Ｏ３相变的结
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