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利用分子束外延方法研制的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料制备了窄条型脊型波导结构量子阱激光器件。通过对其５０℃高温加速老化，检测了器件的可靠性，并对器件中存在的三种典型退化行为，即快速退化、慢退化和端面光学灾变损伤进行了分析与研究。
InGaAs／AlGaAs应变量子阱激光器的可靠性
【摘 要】
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利用分子束外延方法研制的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料制备了窄条型脊型波导结构量子阱激光器件。通过对其５０℃高温加速老化，检测了器件的可靠性，并对器件中存在的三种典型退化行为
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年4期
【基金项目】
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国家“863”高技术计划项目
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